三星将在 2027 年将 HBM4 和 HBM4E 的产量翻倍

三星的 HBM4 产能激增

要点： 三星电子将在 2027 年将其 HBM4 和 HBM4E 高带宽内存芯片的月产量提高一倍以上，将晶圆吞吐量扩大到每月约 250,000 片，并将玻璃载板的消耗量提高 2.5 倍。

产量增长量化

• 三星预计 2027 年的月产量将达到 250,000 片晶圆，高于 2026 年的约 180,000 片 —— 平均每月晶圆投入量增长了 ~40%。
• 随着 HBM4E 进入大规模生产，HBM4 系列在三星内存出货组合中的份额预计将从今年的 ~40% 上升到明年的 ~80%。
• 用于 HBM 晶圆减薄和钻孔过程中的薄玻璃支撑件（玻璃载板），其外包量将在 2027 年达到 每月 50,000 片，高于 2026 年的 20,000 片 —— 增长了 2.5 倍。

为什么玻璃载板很重要

“玻璃载板是一种临时附着在 HBM DRAM 晶圆底部的支撑件，用于防止晶圆在减薄和钻孔过程中弯曲或破裂。由于 HBM 需要在有限的厚度内堆叠多个 DRAM 裸片，随着堆叠层数的增加，晶圆减薄技术和翘曲控制工艺变得愈发重要。” —— 首尔经济日报

载板用量的激增表明，三星正在扩大 AI 加速器所需的 12 层及以上 HBM 堆叠 的规模。即使考虑到清洗后的载板重复使用，载板需求 2.5 倍的增长也强烈暗示了 HBM4/HBM4E 的产量至少翻了一番。

时间表与技术细节

• 2026 年 2 月： 三星开始使用 10 纳米级第六代 (1-c) DRAM 核心和 4 纳米基底裸片大规模出货 HBM4。
• 2026 年 5 月： 三星向包括 Nvidia 在内的客户交付了 12 层 HBM4E 样品，标志着第七代产品首次公开亮相。
• 2027 年展望： 公司将专注于更高层数的堆叠（12 层及以上）以满足 AI 驱动的需求，将 HBM4 定位为高价值的优质内存产品。

行业背景与分析师观点

“随着三星扩大 HBM 产能，它似乎正在将高价值产品 HBM4 置于核心地位，” —— 行业官员在文章中表示。

分析师指出，AI 加速器市场是此次产能扩张的主要驱动力。与 DDR5 相比，HBM 卓越的带宽使其成为训练大型模型和进行大规模推理的必要条件。

Hacker News 社区见解

• 供应链瓶颈： 一条高分评论指出，HBM 生产（而非 GPU 裸片或 EUV 光刻）是目前中国 AI 加速器制造商面临的瓶颈。制裁限制了对关键设备的获取，迫使当地企业开发低良率的工艺。
• 消费者影响： 一些评论者担心，将现有的 DRAM 产能转向 HBM 会推高消费级 DDR5 的价格并限制供应。
• 云端 GPU 的价格压力： 用户希望 HBM 供应的增加最终能冷却云端 GPU 的价格，该价格因 AI 热潮而飙升。
• 技术好奇心： 一条评论强调了裸片减薄步骤，这是一个很少被讨论但至关重要的工艺，只有在极大规模生产时才具有经济可行性。

这对 AI 生态系统意味着什么

• HBM 供应的增加应能缓解目前高带宽内存的短缺，从而可能稳定数据中心运营商的 GPU 定价。
• 更高层数的堆叠（12 层及以上）使每个 GPU 能够拥有更大的内存容量，支持向更大规模 AI 模型发展的趋势。
• HBM 的供应链限制仍然是一个地缘政治风险，特别是对于受出口限制的地区而言。

展望

三星对 HBM4 和 HBM4E 的激进扩张使其成为下一代 AI 加速器的主要供应商。玻璃载板需求 2.5 倍的增长以及向 80% HBM4E 组合的转变表明，HBM 将在短期内成为高性能 AI 工作负载的主要内存基板，而消费级 DRAM 市场可能会经历供应趋紧和价格上涨。