三星、SK Hynix 与 Micron 因内存价格操纵在美国被起诉

内存巨头被指控协同削减 DRAM 供应

三星、SK Hynix 与 Micron 正在美国面临一场诉讼，指控这三家公司通过系统性地协同削减 DRAM 供应从事价格操纵。原告称，这些公司利用向高带宽内存（HBM）的转型作为借口，限制标准 DRAM 的供应，从而推高市场价格。

根据诉状，这些公司协同停产较旧的内存标准，特别是 DDR3 和 DDR4，以进一步收紧供应。文件显示，近期苹果公司大幅提升产品价格的行为成为了提起法律行动的触发因素。

法律挑战的核心在于，向 AI 驱动的内存需求（HBM）的转变是合法的技术升级，还是一种精心策划的市场操纵手段。

一些行业观察者认为，停产旧标准是自然的市场演进，而非阴谋。正如社区讨论中所指出的：

"HBM 也是 DRAM……关闭旧的晶圆厂并将包括人员在内的资源转移到 DDR5 是件好事。这不是价格操纵。"

从这个角度来看，将资源从 DDR3 和 DDR4（对消费级 CPU 已基本淘汰）转移到 DDR5 和 HBM，是一种标准的商业做法，以满足 AI 热潮带来的激增需求。

另一种反驳观点是，当前对内存的需求如此之高，以至于无需明确的合谋即可维持高利润率。由于启动新的生产能力需要数十亿美元的投资和数年的前置时间，现有的寡头垄断仅凭供应稀缺即可维持高价。

这并非主要内存制造商首次面临反垄断审查。该行业有价格操纵丑闻的历史，包括过去一次重大的 DRAM 价格操纵案件以及大约在 2010 年欧盟对其处以的罚款。

然而，法律专家和评论员指出，证明实际达成协议的难度很高。一次在 2022 年提出的类似指控据称因原告无法提供竞争对手之间正式协议的证据而失败。

人们担心，内存市场的“卡特尔行为”会在整个电子供应链产生连锁反应。制造成本上升和供应短缺对缺乏超大规模企业议价能力的小公司施加巨大压力，可能导致它们被迫退出市场。

一些人认为，审查应超出制造商，涉及“超大规模企业”（大型云服务提供商）和 AI 公司。理论上，为预计的数据中心进行的大规模采购——其中一些甚至可能尚未动工——可能正在垄断消费级 RAM 和 SSD 市场，进一步推高公众的成本。

行业分析师认为，解决当前寡头垄断的唯一结构性办法是引入新的、具备竞争力的企业。具体而言，中国内存制造商如 CXMT 的崛起被部分人士视为唯一能够有效制衡这三大全球主导企业定价权的途径。